单片机开发板时钟显示原理分析以及教学实例 DS1302时钟 一.DS1302的主要性能指标 (1)DS1302实时时钟具有能计算2100年之前的秒、分、时、日、日期、星期、月、年的能力,还有闰年调整的能力。 (2)内部含有31个字节静态RAM,可提供用户访问。 (3)采用串行数据传送方式,使得管脚数量最少,简单SPI 3线接口。 (4)工作电压范围宽:2.0~5.5V。 (5)工作电流:2.0V时,小于300nA。 (6)时钟或RAM数据的读/写有两种传送方式:单字节传送和多字节传送方式。 (7)采用8脚DIP封装或SOIC封装。 (8)与TTL兼容,Vcc=5V。 (9)可选工业级温度范围:-40C~+85C。 (10)具有涓流充电能力。 (11)采用主电源和备份电源双电源供应。 (12)备份电源可由电池或大容量电容实现。 SPI总线概念 SPI接口的全称是“Serial Peripheral Interface”,意为串行外围接口 SPI接口主要应用在EEPROM,FLASH,实时时钟,AD转换器,还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。 SPI接口是在CPU和外围低速器件之间进行同步串行数据传输,在主器件的移位脉冲下,数据按位传输,高位在前,地位在后,为全双工通信,数据传输速度总体来说比I2C总线要快,速度可达到几Mbps。 SPI接口是以主从方式工作的,这种模式通常有一个主器件和一个或多个从器件,其接口包括以下四种信号:(1)MOSI – 主器件数据输出,从器件数据输入(2)MISO – 主器件数据输入,从器件数据输出(3)SCLK – 时钟信号,由主器件产生(4)/CS – 从器件使能信号,由主器件控制
SPI接口内部硬件图示
最后,SPI接口的一个缺点:没有指定的流控制,没有应答机制确认是否接收到数据。 二.引脚功能 DS1302的引脚如图所示
其中: X1、X2:32.768KHz晶振接入引脚。 GND:地。 :复位引脚,低电平有效,操作时高电平。 I/O:数据输入/输出引脚,具有三态功能。 SCLK:串行时钟输入引脚。 Vcc1:工作电源引脚。 Vcc2:备用电源引脚。 接入电池断电时提供1302电源 三.DS1302的寄存器及片内RAM DS1302有一个控制寄存器、12个日历、时钟寄存器和31个RAM。可读写 1.控制寄存器 控制寄存器用于存放DS1302的控制命令字,DS1302的RST引脚回到高电平后写入的第一个字就为控制命令。它用于对DS1302读写过程进行控制,它的格式如下:
其中: D7:固定为1 D6:RAM/CK位,=1片内RAM,=0日历、时钟寄存器选择位。 D5~D1:地址位,用于选择进行读写的日历、时钟寄存器或片内RAM。对日历、时钟寄存器或片内RAM的选择见表。 D0: 读写选择,=0写,=1读
2.日历、时钟寄存器 DS1302共有12个寄存器,其中有7个与日历、时钟相关,存放的数据为BCD码形式。日历、时钟寄存器的格式如表。
说明: (1)数据都以BCD码形式。 (2)小时寄存器的D7位为12小时制/24小时制的选择位,当为1时选12小时制,当为0时选24小时制。当12小时制时,D5位为1是上午,D5位为0是下午,D4为小时的十位。当24小时制时,D5、D4位为小时的十位。 (3)秒寄存器中的CH位为时钟暂停位,当为1时钟暂停,为0时钟开始启动。 4)写保护寄存器中的WP为写保护位,当WP=1,写保护,当WP=0未写保护,当对日历、时钟寄存器或片内RAM进行写时WP应清零,当对日历、时钟寄存器或片内RAM进行读时WP一般置1。 (5)慢充电寄存器的TCS位为控制慢充电的选择,当它为1010才能使慢充电工作。DS为二极管选择位。DS为01选择一个二极管,DS为10选择二个二极管,DS为11或00充电器被禁止,与TCS无关。RS用于选择连接在VCC2与VCC1之间的电阻,RS为00,充电器被禁止,与TCS无关, 3.片内RAM DS1302片内有31个RAM单,对片内RAM的操作有两种方式:单字节方式和多字节方式。当控制命令字为C0H~FDH时为单字节读写方式,命令字中的D5~D1用于选择对应的RAM单,其中奇数为读操作,偶数为写操作。 当控制命令字为FEH、FFH时为多字节操作(表中的RAM突发模式),多字节操作可一次把所有的RAM单内容进行读写。FEH为写操作,FFH为读操作。 数据输入输出(I/O) 在控制指令字输入后的下一个SCLK时钟的上升沿时,数据被写入DS1302,数据输入从低位即位0开始。同样,在紧跟8位的控制指令字后的下一个SCLK脉冲的下降沿读出DS1302的数据,读出数据时从低位0位到高位7。 单字节读写
DS1302是通过SPI串行总线跟单片机通信的,当进行一次读写操作时最少得读写两个字节,第一个字节是控制字节,就是一个命令,告诉DS1302是读还是写操作,是对RAM还是对CLOK寄存器操作。第二个字节就是要读或写的数据了。 单字节读写:只有在SCLK为低电平时,才能将CE置为高电平。所以在进行操作之前先将SCLK置低电平,然后将CE置为高电平,接着开始在IO上面放入要传送的电平信号,然后跳变SCLK。数据在SCLK上升沿时,DS1302读写数据,在SCLK下降沿时,DS1302放置数据到IO上
DS1302库函数 #include”ds1302.h” //—DS1302写入和读取时分秒的地址命令—// //—秒分时日月周年 最低位读写位;——-// uchar code READ_RTC_ADDR[7] = {0x81, 0x83, 0x85, 0x87, 0x89, 0x8b, 0x8d}; uchar code WRITE_RTC_ADDR[7] = {0x80, 0x82, 0x84, 0x86, 0x88, 0x8a, 0x8c}; //—存储顺序是秒分时日月周年,存储格式是用BCD码—// uchar TIME[7] = {0, 0, 0x12, 0x07, 0x05, 0x06, 0x16}; void Ds1302Write(uchar addr, uchar dat) //向DS1302命令(地址+数据) { uchar n; RST = 0; _nop_(); SCLK = 0;//先将SCLK置低电平。 _nop_(); RST = 1; //然后将RST(CE)置高电平。 _nop_(); for (n=0; n<8; n++)//开始传送八位地址命令 { DSIO = addr & 0x01;//数据从低位开始传送 addr >>= 1; SCLK = 1;//数据在上升沿时,DS1302读取数据 _nop_(); SCLK = 0; _nop_(); } for (n=0; n<8; n++)//写入8位数据 { DSIO = dat & 0x01; dat >>= 1; SCLK = 1;//数据在上升沿时,DS1302读取数据 _nop_(); SCLK = 0; _nop_(); } RST = 0;//传送数据结束 _nop_(); } uchar Ds1302Read(uchar addr) //读取一个地址的数据 { uchar n,dat,dat1; RST = 0; _nop_(); SCLK = 0;//先将SCLK置低电平。 _nop_(); RST = 1;//然后将RST(CE)置高电平。 _nop_(); for(n=0; n<8; n++)//开始传送八位地址命令 { DSIO = addr & 0x01;//数据从低位开始传送 addr >>= 1; SCLK = 1;//数据在上升沿时,DS1302读取数据 _nop_(); SCLK = 0;//DS1302下降沿时,放置数据 _nop_(); } _nop_(); for(n=0; n<8; n++)//读取8位数据 { dat1 = DSIO;//从最低位开始接收 dat = (dat>>1) | (dat1<<7); SCLK = 1; _nop_(); SCLK = 0;//DS1302下降沿时,放置数据 _nop_(); } RST = 0; _nop_(); //以下为DS1302复位的稳定时间,必须的。 SCLK = 1; _nop_(); DSIO = 0; _nop_(); DSIO = 1; _nop_(); return dat; } void Ds1302Init()//初始化DS1302. { uchar n; Ds1302Write(0x8E,0X00); //禁止写保护,就是关闭写保护功能 for (n=0; n<7; n++)//写入7个字节的时钟信号:分秒时日月周年 { Ds1302Write(WRITE_RTC_ADDR[n],TIME[n]); } Ds1302Write(0x8E,0x80); //打开写保护功能 } void Ds1302ReadTime() //读取时钟信息 { uchar n; for (n=0; n<7; n++)//读取7个字节的时钟信号:分秒时日月周年 { TIME[n] = Ds1302Read(READ_RTC_ADDR[n]); } }
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