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CPU降压运行真的不会加速老化（缩肛）吗？
　　大家一致认为高温是CPU老化的主要原因，那么降压可以降温，提高能耗比，减缓CPU老化。（我指的老化是原先CPU运行在4Ghz的频率需要1.3V电压，老化后1.3V电压就不足以CPU运行在4Ghz了，可能我对老化的概念理解有问题，但是我想表达的就是我上面说的这个意思）

　　所以有两个问题在知乎里我没有找到准确答案给CPU降压会对CPU造成损伤吗？即使降压超频，也不会比加压超频更加速老化吧？

　　不会，加压和高温才是加速老化的原因。

　　半导体芯片老化的原因

　　按照我半吊子的物理知识理解（如有错误欢迎评论指正），半导体芯片正常工作的基础是半导体晶体管中的载流子（N型的自由电子或者P型的空穴）以及连接半导体器件的金属中自由电子的运动形成的电流。

　　然而仅有载流子和电子运动是最理想的状态，只有在超导体中出现。实际上，半导体中的硅-磷、硅-硼（或者其它掺杂材料）结构体，导体中的金属离子并非是绝对稳定的。在金属导体中自由电子运动时的动能，会有一部分转换为金属离子的动能，金属离子向电场方向反向移动，从而导致导体的金属原子扩散或者损失，这种现象称之为电迁移(Electromigration)。发生电迁移时，根据离子流运动方向，可能因为导体损失原子导致电阻提高甚至断路，或者离子堆积导致电阻降低甚至短路，从而导致电路失效。对于半导体，也会出现类似情况，表现为掺杂材料的原子损失/堆积导致载流子浓度过高或者过低。金属离子被电子带动而产生移动电迁移导致的电路失效，上图为离子堆积导致的短路；下图为离子损失导致的断路

　　对于电迁移来说，电压越高，电场强度越大，电子动能越高，迁移速度加快；工作温度越高，半导体结构越不稳定，掺杂材料的原子越容易迁移。关于电迁移对集成电路寿命的影响，可以使用布莱克方程计算[1]：

　　其中：MTTF：平均无故障时间(Mean Time To Failure)；A：与导线材料、截面积相关的常数；J：电流密度；n：无量纲因子，一般取2（n前面有负号，知乎网页版的公式没显示出来，放大页面可以看到）；Q：发生电迁移的活化能；k：玻尔兹曼常数；T：温度。

　　从公式可以分析出，对于特定的半导体芯片来说，A、n、Q、k都是固定的，电流密度J越大，寿命越短；温度T越高，寿命越短。而电流密度又主要受到工作电压影响，电压越高，电流密度越大；反之，电压越低，电流密度越小，寿命越长。

　　超频对CPU寿命的影响

　　导线电阻的变化，或者载流子浓度的变化，会使得半导体芯片的电路性能变差，对于CPU来说，就是超频能力变差甚至无法以标称的最高频率稳定运行，这就是超频圈常说的缩肛。

　　所以，长时间加压或者高温运行，都会导致CPU的超频能力变差甚至缩短寿命。高温导致CPU寿命缩短很多人都知道，而高电压导致的缩肛，极限超频圈的朋友可能比较清楚一点，就是一个大雕CPU，哪怕每次超频都是上液氮大炮，温度绝对不会高，但过一段时间后超频性能还是会变差就是这个原因。

　　而频率对寿命的影响，主要在于频率提高后，CPU的功耗变大导致温度升高，当然前提是散热条件不变。理论上来说，不加压，加强散热保证温度没有提升的超频，对CPU寿命的影响是可以忽略的。

　　降压超频

　　降压超频的原理是因为今天的多核CPU，全核睿频时因为功耗限制或者温度限制，全核睿频频率不能达到允许的最高频率，但通常CPU厂家设定的电压会有一定余量，通过降低电压的方式来降低每个核心的功耗，使得同样的功耗限制下，核心可以工作在更高的频率。但这个频率通常不会超过单核最高睿频频率，整个CPU的功耗也没有变大因此温度也没有提高。

　　所以从理论上来说，降压超频并不会加速电迁移，反而因为电压降低，电场强度减弱，自由电子/载流子动能降低，减慢了迁移速度，更有利于延长CPU寿命。

　　PS：这个回答说的是“加速”老化，而不是会不会老化——只要通电使用，半导体芯片老化是必然的，不管你是正常使用，还是加压超频，还是降压超频。

　　所以CPU缩肛是必然的，刚买回来，可以降压0.1V稳定运行，但用一段时间（这个时间和每天使用时长、满载占比、散热条件有关）后降0.05V都不稳是正常情况。

　　东芝那边拿来的资料，蛮多汉字和英文的，应该能看懂吧。故障モード Failure mode故障メカニズム Failure mechanism活性化エネルギー (ev)メタル配線故障 MetalAl系配線のエレクトロマイグレーション0.4(オープン、ショート、腐食)Al系配線のストレスマイグレーション0.5Au-Alの合金の成長0.85Cu配線のエレクトロマイグレーション0.8Alの腐食 (水分の侵入)0.6酸化膜耐圧 Oxide 絶縁破壊、リーク電流増加酸化膜の破壊0.3hFEの劣化 Bip. Tr水分によるイオン移動の加速0.8特性値変動 MOS FETNBTIによる変動0.5SiO2中のNaイオンのドリフト1.0Si-SiO2界面のスロートラッピング1もれ電流の増加 Leakcurrrent反転層の生成0.8

　　题主所说的大致是没有问题的。

　　CMOS集成电路老化的主要原因是MOS管栅级损耗，带来的结电容改变，以及漏电增加。

　　在电路正常工作的前提下

　　P正比于 ，

　　降压运行使得电路发热降低，温度降低，对于延长电路寿命是有益的。同时，降低电压本身也能降低栅极损耗。

　　但是，如同题主所说的，电路正常工作有一个所需的电压，降低电压可能会使得电路出现时序冲突。一般来说时序冲突不会造成电路结构上的损坏。但是，较少数情况下，可能会出现设计意图之外的情况，比如MOS桥路上下臂时间片冲突等，由于集成电路中的MOS管体积微小，不会造成完全的损坏，但是会严重影响寿命。

　　总体而言，在可靠性要求较低的场景下，略微降低集成电路的供电电压，是一种可行的提高能耗比的方式。若较大幅度地降低供电电压，同时大幅降低频率，电路的能耗比会显著提升。

　　严谨地说，在其他条件不变的情况下，降低电压会减缓半导体老化速率。

　　影响半导体寿命的直接因素，在宏观上叫温度，微观上表现为构成半导体的原子的动能。如果长时间维持高温，会导致构成芯片中的原子动能过大而偏离原本的位置，这个叫电子迁移。

　　和其他电子元器件不同，半导体通常是在纯硅中参杂进其他原子，如果参杂进的原子偏离原本位置，会导致半导体中一个叫PN结的东西消失，从而导致半导体的功能消失，最终导致整体电路逻辑功能出现故障。

　　此外，芯片中连接晶体管的金属电路的也可能发生电子迁移，导致短路或者断路，从而破坏电路逻辑功能。

　　而降低电压则会降低芯片的发热量，从而降低温度，延缓老化。至于降压导致电流变大对芯片来说是无稽之谈，芯片又不是功耗恒定。

　　这是个很好的题目，但是要说清楚真不容易。老化是集成电路中最难也最坑的研究方向之一。很不幸，目前我也就在这个坑里。

　　既然说不清楚就只有长话短说。

　　首先，加压会加速老化。从器件的角度上来说，加压对于器件的影响有两个。一个是NBTI、EM等老化效应和电压正相关，一般都还是次方关系。公式太复杂就不贴了，大家知道是正相关就行了。另外就是加压会增加功耗，包括动态功耗和静态功耗，分别是二次方和三次方关系。增加功耗带来的直接问题就是，器件自热会提升。在散热量恒定的情况下，温度就飙上去了。其他答主也回答了，温度是老化的第一因素。做加速老化实验的基本方法就是搞到恒温箱里面去用高温烤。所以加压必然是要加速老化的。

　　但是……加压可以在一定程度上“修正”或者是“改善”老化带来的后果。这是因为对于数字电路而言，老化的结果就是电路延迟增加。换言之，老化后的CPU就“跑不快”了。延迟和时钟频率这件事事情要扯清楚，那又是一大摊子事情。有兴趣的朋友可以自行去买下面的书来读吧。

　　那么改善延迟的办法是什么呢？最简单的就是加压。可以简单的理解为电压提高以后充放电的速度变快了。详细的介绍，那还得看上面的书。

　　所以结论就是老化导致延迟增加，延迟增加导致时钟频率跑不了那么快（可能导致各种错误），为了恢复时钟频率需要适当加压，加压以后老化加速……

　　所以真正的“抗老化”方法是很困难的。通常为了保证电路在额定时钟频率不出错，电压需要留有余地，会设置得稍微高一点。有一种缓解老化的方式就是让电压余量尽量的少，刚刚好贴着让电路运行不出错。但是如何就知道现在电压已经刚好了，以及如何去精确的调节这个电压。那就是非常困难的事情了。更激进一点的办法可以是让电压处于一个电路“可能要出错”的水平，再加点容错电路设计保证出点小错也能纠正回来。

　　一般的商业芯片都不会考虑以上的技术，毕竟人家还希望你1年半就换新机呢。当年我师弟博士毕业去X思应聘的时候时候谈抗老化设计方法学，被X思QL的负责人给嘲讽了一番。

　　简单的就说这么多，关于老化、故障等问题要进一步的了解可以读以下几本书：

　　降压的目的是降低温度和运行功耗，原理上是为了提升CPU的高频运行稳定性和延长CPU寿命，下面分享下降压实操教程和相关数据测试。

　　⏹ 前言

　　相当一部分用户在装机的时候会选择B760芯片组主板，毕竟价格比较便宜，不过可能会存在两个问题：

　　● 第一是CPU跑不满，无法发挥该有的性能。

　　● 第二是温度过高压不住，导致高负载状态撞墙降频。

　　早期引发这俩问题的原因在于主板指令集设计问题，在微码更新后有所缓解，本文发布时则是CPU体质问题居多。

　　本文和大家分享一下技嘉主板的降压教程，可以有效解决上述问题，欢迎点赞收藏打赏三连，包含抄作业级别的实操教学，有复杂问题咨询请单独联系。

　　⏹ 操作难点

　　给大家标注下本教程重点：

　　有这个教程的根本原因是13代和14代Intel默认电压给的比较激进，降压可以在主频不变的前提下降低功耗和CPU工作温度，找功耗/频率的平衡点是降压操作的关键。

　　本次教程基本无硬件损坏风险，毕竟是降压，跟着操作就行，电压能压到多少随缘，具体看CPU体质，在能稳定过测且不降频的前提下越低越好。

　　如果想从源头解决，那就是去某鱼收别人测过的，买盒装摸奖也行，散片基本可以认定为雷，压不下去电压也正常。

　　关于B760和Z790这俩芯片组的区别，个人建议是能选Z790就选Z790，毕竟BIOS多了很多细节配置，想省钱用B760搭配K系列处理器就继续看本文哈。

　　⏹ 操作环境

　　本次使用的硬件如下，大家可以参考下。

　　1️⃣ CPU丨Intel i5-14600K

　　简介：相比13代，14代的imc控制器更好一些，说人话就是同性能条件下CPU和内存的运行电压会更低一些，更符合本文的主题。

　　这块U是发售不久在某鱼收的，哪家就不说了省的被说广告，比目前的盒装价格贵两百，问了下玩超频的朋友，14600K的正常功率范围在100-200W中间，大家可以参考下。

　　2️⃣ 主板丨技嘉冰雕X B760M

　　简介：你可以说技嘉坏，但不能说技嘉菜，BIOS调教目前在御三家中间属于比较领先的地位，特别是内存效能，开启大宽带+低延迟黑科技之后非常猛。

　　本文使用的这张主板属于堆料型号，虽然价格贵了点，其实硬件是划算的，全覆盖散热马甲+金属加固PCI插槽+8层PCB+板载WiFi6无线网卡+Type-C接口等都给了。

　　另外技嘉在尝试挽回流失用户，目前给出的售后政策是四年保修+一年换新，重点是支持个人送保，人为导致的针脚损坏、剐蹭掉漆和主板弯折这些都可以免费帮修，非常良心。

　　3️⃣ 内存丨宏碁 Pallas II 6000MHz 16G*2

　　简介：考虑到下面有跑分部分，为了方便大家对比数据，这里选择常规的6000MHz频率内存作为搭配，仅开启XMP+大带宽+低延迟模式。

　　单独说一下，CPU降压和内存高频是冲突的，7600MHz以上的内存手动超频需要增加CPU部分电压，所以只能二选一。

　　4️⃣ 散热器丨乔思伯TG-240

　　简介：散热效能很普通的240水冷，和常规六热管风冷差不多，比较有参考性。

　　⏹ 前置操作

　　开始降压操作前，下面两步操作一定要做，第二步仅针对技嘉主板，切记切记。

　　1️⃣ 更新主板BIOS

　　本文发布时候最新BIOS版本为F3，打算跟着本文操作的朋友切记操作前看一下BIOS版本，有更新就升级一下。

　　升级方法也比较简单：

　　● 第一步，找个U盘，将下载好最新BIOS固件放入U盘。

　　● 第二步，开机按Del键进入BIOS。

　　● 第三步，按F8进入Q-Flash，选择U盘中的BIOS固件文件。

　　之后一路下一步就行，记得一定得保证期间不断电，BIOS升级时候异常断电很容易损坏主板

　　2️⃣ 关闭GCC自动安装

　　技嘉的BIOS确实很好用，但windows系统的驱动GCC相当难用，并且有可能无法降级，建议进BIOS，按下图关闭GCC自动下载。

　　3️⃣ 切换104微码

　　最后一步，点击高级模式中的频率/电压控制，看下图找到Select MCU，切换成Rev 0x104微码，之后选择储存并离开重启电脑。

　　4️⃣ 开启内存黑科技

　　这段和降压其实没关系，单纯提升内存效能：

　　● 第一步，将内存XMP配置切换成XMP1，也就是内存的厂商超频配置。

　　● 第二步，High Bandwidth和Low Latency这两项改为启用。

　　之后选择储存并离开，重启电脑即可。

　　⏹ 降压教程

　　上述操作完成后，准备开始降压操作。

　　1️⃣ 默认数据测试

　　首先先取BIOS全部默认状态下的数据作为参考，这里取两个软件的数值：

　　● 第一是CPU-Z，单核得分为854.8，多核得分为9934.5。

　　● 第二是AIDA64压力测试，CPU满载温度为83°左右，满载功耗为150W。

　　下面降压后会以这组数据为标准，CPU-Z跑分只能高不能低，AIDA64压力测试数据只能低不能高。

　　另外后续降压成功后还需要跑一轮Cinebench R23作为压力测试，正常均值如下图所示：

　　● 单核分数应该在1900-2100中间。

　　● 多核分数应该在24000-25000中间。

　　测试分数只要在上述正常范围即可，毕竟每颗CPU体质和CPU散热器性能不同，多点少点都正常。

　　2️⃣ 保守型降压操作

　　下面开始实操，首先进入高级模式的频率/电压控制页面，进入进阶处理器设置，找到下图的CPU EIST功能，切换成停用。

　　第二步回到高级模式的频率/电压控制页面，修改下面三个选项：

　　● 第一是核心电压模式，默认是自动，修改为Adaptive Vcore模式。

　　● 第二是Dynamic Vcore，数值填写为-0.100V。

　　● 第三是CPU环形总线电压补偿，数值和Dynamic Vcore填一样的。

　　对，到这里就没了，就这么简单，修改完成后选择储存并离开，重启电脑即可。

　　重启完成后，重新跑两项测试工具：

　　● 第一是CPU-Z，单核得分为847.6，多核得分为10026.2，相比默认配置，单核分数低了一点点，多核分数则是高了一点点。

　　● 第二是AIDA64压力测试，CPU满载温度为72°左右，满载功耗为130W，相比默认配置，温度降低了10°，功耗则是低了20W。

　　如果你的CPU体质实在是太差，CPU-Z跑分大幅降低或者蓝屏稳不住，Dynamic Vcore的负值可以调低点，比如-0.08V。

　　3️⃣ 激进型降压操作

　　如果-0.1v可以通过压力测试并不会降低跑分，可以继续尝试降压：

　　● 第一是核心电压模式，Adaptive Vcore模式不变。

　　● 第二是Dynamic Vcore，单次加0.01V，比如-0.110V。

　　● 第三是CPU环形总线电压补偿，数值和Dynamic Vcore填一样的。

　　如果你的CPU体质特别好，可以压到-0.200V左右，再高还能稳定不降频，那么只能说你是天选之子了。

　　这里晒一下我压到-0.200V数据：

　　● 第一是CPU-Z，单核得分为857.1，多核得分为10040.9，相比默认配置，单核分数和多核分数都高了一点点。

　　● 第二是AIDA64压力测试，CPU满载温度为60°左右，满载功耗为105W，相比默认配置，温度降低了20°，功耗则是低了接近50W。

　　这个测试数据我还是比较满意的，毕竟温度下降超级多，跑分甚至还高了那么点。

　　最后提醒下各位，能过AIDA64不代表降压成功，还是得跑一次Cinebench，目的是看看满载状态会不会触发降频，这里我的测试数据如下图所示：

　　● 单核分数为2026分，属于正常偏高。

　　● 多核分数为24190分，属于正常偏低。

　　相比大幅度降低的温度+功耗，这点多核分数损失完全可以接受，大家可以参考下。

　　⏹ 本文完