存储器的基本结构_外存储器包括哪些

存储器的基本结构_外存储器包括哪些存储器的结构1.存储器的分类:    临时存储器RAM: random access memory,直译为”随机访问存储器”.可以随意访问存储器中的任意一个字节.           

存储器的结构   1.存储器的分类:     
存储器的基本结构_外存储器包括哪些     临时存储器RAM: random access memory,直译为”随机访问存储器”.可以随意访问存储器中的任意一个字节.                  常分为SRAM(静态随机访问存储器),DRAM(动态随机访问存储器),访问速度快,掉电后数据丢失.     永久存储器ROM: read-only memeory,直译为”只读存储器”.早期写入数据后只能进行读取,名字一直延用至今.                    ROM读的速度要比写的速度快,掉电后数据不会丢失,相对于RAM来说,CPU访问ROM的速度要慢很多.                    常用的ROM有磁盘(机械硬盘),flash(闪存:SSD,U盘,SD卡).       
存储器的基本结构_外存储器包括哪些   2.缓存:     
存储器的基本结构_外存储器包括哪些     内存广义与狭义之分:        广义上的内存: 寄存器,cache(SRAM),主存(SRAM,DDRAM)都是内存.       狭义上的内存: 主存.我们常说的”内存”,往往说的都是主存.     缓存广义与狭义之分:       广义上的缓存: 寄存器,cache,主存都是缓存.       狭义上的内存: 仅指cache(高速缓存).     CPU访问程序和数据的过程:       1.cpu先到寄存器读数据,寄存器中有需要的数据,取出使用,否则进入第二步.       2.访问第一级cache,命中则取出数据缓存到寄存器中,cpu从寄存器中访问,否则进入第三步.       3.访问第二级cache,命中则取出数据缓存到第一级cache中,再缓存到寄存器中,否则进入第四步.       4.同上,类推.       5.访问主存,如果命中,取出数据逐级缓存到寄存器,供cpu访问,否则进入第六步.       6.向ROM中查找数据,有则逐级缓存,否则报错.   3.存储芯片(存储器)的结构:      无论哪种存储芯片(临时还是永久),都必须有地址线,控制线,数据线,片选线.     
存储器的基本结构_外存储器包括哪些     字与字长:        字: 每个地址指向的一个存储单.       字长: 存储单的字节数.   4.网络带宽的单位:     存储器容量单位使用byte(B),但是网络带宽使用的单位却是bit(b).当我们说网络带宽为50M时,实际指的是Mb/s,而不是MB/s.所以50Mb/s实际换算下来为50/8 MB/s.   5.存储设备与存储芯片:      存储设备不等于存储器,存储设备包括存储器,控制器和其它.     
存储器的基本结构_外存储器包括哪些     存储芯片: 负责数据的存储.     控制器: 负责对存储芯片的控制和管理.     存储设备通过I/O接口连接到计算机.存储设备的I/O接口可能是串行通信,也可能是并行通信.大部分存储设备的接口,使用的都是串行通信.内存是一个例外,为了提高内存的访问速度,内存的I/O接口是并行通信的.   6.存储芯片拼接扩容:     1.通过扩展地址线,实现拼接扩容:     
存储器的基本结构_外存储器包括哪些     扩容后,地址线增加,增加的地址线实际是片选线.地址线的数量决定了存储器的字的数量(2^n)地址的数量.片选线的数量决定了存储器的数量(2^n).存储器的字的长度(字节)等于数据线的数量/8.     2.通过扩展数据线,实现拼接扩容:    
存储器的基本结构_外存储器包括哪些       存储器拼接后,实际上扩展了字长(单个存储器的字长*拼接存储器的个数).数据读取后,进行了数据的拼接.没有片选线.     3.通过扩展地址线+扩展数据线,实现扩容:     
存储器的基本结构_外存储器包括哪些     扩展了地址和字长.   7.存储器的实现技术:     1.以电信号方式存储数据.比如寄存器,cache,内存,flash存储器.     a.触发器(每一个bit就是一个触发器)方式实现的存储器:     常被称为SRAM(S就是static禁止的意思).利用触发器的记忆能力,能将电压保持在高电平或者低电平.只要持续供电,触发器就将一直保持高电平或者低电平.     SRAM访问数据的速度快,但掉电后数据丢失,造价高.一般用于寄存器和cache的制造.     b.电容方式实现的存储器:     常被称为DRAM(D就是dynamic刷新的意思),每个bit就是一个电容.访问数据的速度仅次于触发器方式实现的存储器,造价相对触发器便宜.一般用于制造内存.     掉电后数据丢失,由于电容的电量会漏失,因此需要每隔一段时间就刷新给电容补充一次点,才能保持数据不变.     c.flash(Norflash,Nandflash):     每一个bit为一个”三端器件”.每个三端器件是一个特殊的电容,这个特殊的电容是不漏电的.一旦充电后看,电荷将会被几乎永久的保存,数据也就被永久保存.     速度较快,数据可以永久保存.造价相对较贵.     比如SSD(固态硬盘),U盘等.     Norflash的读速度比Nandflash快,但写速度比Nandflash速度慢.     2.以磁信号方式存储数据,比如磁盘.     每一个bit是一个金属磁片,进行电信号与磁信号的转换.     访问速度慢,能够永久存储数据,造价便宜.机械形式的存储器,体积大,容易受到振动干扰.     比如,机械硬盘.     3.以物理刻痕方式存储数据,比如光盘,纸带.    

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