时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片

时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片一文了解Xilinx Zynq7000及7系列 FPGA上电时序三炮儿每周二早七点分享/更新一篇硬件开发学习笔记学习分享以助能力增长♥经验交流以期跻身一流目录一、PS侧电源二、PL侧电源三、单板上电时序(包含PS、PL)✍Zynq芯片的电源分为PS系统和PL逻辑(FPGA

一文了解Xilinx Zynq7000及7系列 FPGA上电时序   三炮儿每周二早七点   分享/更新一篇硬件开发学习笔记   学习分享以助能力增长♥经验交流以期跻身一流
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   目录   一、PS侧电源   二、PL侧电源   三、单板上电时序(包含PS、PL)   ✍   Zynq芯片的电源分为PS系统和PL逻辑(FPGA)两部分,这两部分的电源区域是完全独立的、被隔离以防止损坏;PS的电源可以在任何PL电源之前或之后上电。   PS系统和PL逻辑部分的电源都有一定上电时序要求,不正常的上电顺序可能会导致ARM系统和FPGA系统无法正常工作。   本文以XC7Z045-2FFG900I芯片为例,介绍Zynq7000电源,主要参考是赛灵思官方手册:DS191、DS182、UG483、UG933等。   XC7Z045是一款集成了双核ARM Cortex-A9处理器和可编程逻辑器件Kintex-7 FPGA的SoC芯片。   一、PS侧电源   PS侧的电源种类及其绝对最大额定值和推荐工作条件,如下图所示
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   1、VCCPINT   PS内部逻辑(内核)电源电压,最大不超过1.1V;   一般设计采用1.0V,要求1.0V±3%;   该电源网络命名为VCCPINT_1V0;   保证100uF、4.7uF、0.47uF电容至少各1个,其余每个电源管脚视PCB面积保证至少有1个4.7uF或0.47uF去耦电容。   另外,VCCPINT_1V0的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   2、VCCPAUX   PS辅助电源电压,最大不超过2.0V;一般设计采用1.8V,要求1.8V±5%。   3、VCCPLL   PS PLL电源,PLL内部时钟供电电源,最大不超过2.0V;   一般设计采用1.8V,要求1.8V±5%;   通常串磁珠消除电源链路的RF噪声;   保证100uF、4.7uF、0.47uF电容至少各1个,其余每个管脚视PCB面积保证至少有1个4.7uF或0.47uF去耦电容。   针对VCCPAUX、VCCPLL,通常共用一路1.8V的电源,该电源网络命名为VCCPAUX_1V8;   为滤除噪声干扰,推荐在该1.8V电源网网络和VCCPLL管脚之间串接磁珠。
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   4、PS_VCCO   PS VCCO包括PS_VCCO_DDR、PS_VCCO_MIO I/O电源,   一般根据外设选择相应的电源,外设不同电源电压可能会有差异;   VCCO_DDR连接DDR3,可使用1.5V的电源电压,要求1.5V±3%。   该电源网络命名为VCCO_1V5;上电爬升时间要求为0.2ms-50ms;去耦电容的要求参考上图Table 3-2。
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   PS侧电源上电时序   按照DS191要求,PS侧上电时序设置如下   VCCPINT →VCCPAUX&VCCPLL →PS_VCCO,   即VCCPINT_1V0 →VCCPAUX_1V8 →VCCO_1V5;   下电时序与之相反。   二、PL侧电源   PL侧电源(FPGA)分为普通PL电源和MGT电源   普通PL电源   普通PL电源种类及其绝对最大额定值和推荐工作条件,如下图所示
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   1、VCCINT   PL内部(内核)电源电压,XC7Z045-2速率的芯片,   要求供电电源为1.0V±3%;该电源网络命名为VCCINT_1V0;   由于VCCINT_1V0电源电流很大,在靠近电源芯片侧,需要放置2个680uF或4个330uF的电容(由于低气压要求,不能使用钽电容),用于储能;   另外,每个电源管脚视PCB面积保证至少有1个4.7uF或0.47uF去耦电容。   该电源的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   2、VCCBRAM   PL块RAM电源电压,XC7Z045-2速率的芯片,   要求供电电源为1.0V±3%;该电源网络可以直接连接到VCCINT_1V0。   DS191手册中, VCCINT and VCCBRAM可用同一电源供电。   参照上面图表Required PCB Capacitor Quantities per Device (PL),每个电源管脚视PCB面积保证至少有1个4.7uF或0.47uF去耦电容。   该电源的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。   3、VCCAUX   PL辅助电源电压辅助电源,   要求供电电源为1.8V1.8V±5%,该电源网络命名为VCC_PL_1V8;   保证至少有1个100uF电容,其余每个管脚视PCB面积保证至少有1个100nF去耦电容;   该电源的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。   4、VCCO   PL HR/HP Bank的IO电源电压,K7芯片有HR和HP两种Bank;   HR Bank的VCCO范围是1.2V-3.3V;   HP Bank的VCCO范围是1.2V-1.8V。   HP Bank VCCO一般使用1.8V,要求1.8V±5%,该电源网络命名为VCCO_1V8,该电源网络可以直接连接到VCC_PL_1V8;   HR Bank VCCO一般使用3.3V,要求3.3V±5%,该电源网络命名为VCCO_3V3。   每个电源管脚放置一个100nF,0402的电容用于滤波。另外,VCCO的爬升时间要求为0.2ms-50ms。   每个Bank的电源网络中保证至少有1个100uF或47uF电容,其余每个管脚视PCB面积保证至少有1个100nF去耦电容。   VCCO电源的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。   5、VCCAUX_IO   PL IO辅助电源电压,根据不同的速率要求,IO辅助电压可以选择为1.8V或者2.0V。   一般使用1.8V IO作为辅助电压,要求1.8V±5%,   该电源网络可以直接连接到VCC_PL_1V8;   DS191手册中,VCCAUX, VCCAUX_IO, and VCCO_1V8可用同一电源供电。   保证至少有1个100uF或47uF电容,其余每个管脚视PCB面积保证至少有1个100nF去耦电容。   该电源的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。   PL侧电源(FPGA)上电时序   按照DS191要求,设置如下   VCCINT&VCCBRAM→VCCAUX&VCCAUX_IO&VCCO_1V8 →VCCO,   即VCCINT_1V0→VCC_PL_1V8 →VCCO_3V3;   下电时序与之相反。   MGT电源   MGT电源种类及其绝对最大额定值和推荐工作条件,如下图所示
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   6、VMGTAVCC   GTX收发器的模拟电源电压、锁相环电源,其电压大小一般由QPLL频率决定,   一般低于10GHz的使用1.0V,要求1.0V±3%;   该电源网络命名为MGTXAVCC_1V0。   保证至少有1个4.7uF电容,其余每个管脚视PCB面积保证至少有1个100nF去耦电容。   该电源的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。   7、VMGTAVTT   GTX收发器的端接电路的模拟电源电压,一般使用1.2V,要求1.2V±0.03V;该电源网络命名为MGTXAVTT_1V2。   保证至少有1个4.7uF电容,其余每个管脚视PCB面积保证至少有1个100nF去耦电容。   该电源的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。   8、VMGTVCCAUX   GTX收发器的辅助模拟QPLL电源电压,一般使用1.8V;   该电源要求为1.8V±0.05V。按照规范,把该信号命名为MGTVCCAUX_1V8,   很多设计中VMGTVCCAUX与VCCAUX用同一电源网络VCC_PL_1V8。   保证至少有1个4.7uF电容,其余每个管脚视PCB面积保证至少有1个100nF去耦电容。   该电源的上电爬升时间要求为0.2ms-50ms。   由于GTX收发器的速率很高,   一般设计中对其电源电压的纹波要求也很高,推荐使用LDO供电;   与PS或PL侧使用同一DCDC电源供电的设计也有,这种通常在GTX侧加Π型滤波等提高电源质量。   MGT电源上电时序   按照DS191要求,设置如下   VCCINT →VMGTAVCC →VMGTAVTT   或者 VMGTAVCC →VCCINT →VMGTAVTT;   并且 VMGTAVCC 和 VCCINT可以同时上电;对VMGTVCCAUX时序没有要求   三炮儿习惯GTX模块时序设置为   VCCINT_1V0 →MGTXAVCC_1V0 →MGTXAVTT_1V2 →MGTVCCAUX_1V8;   下电时序与之相反。   三、单板上电时序(包含PS、PL)   将7Z045各部分的上电时序汇总如下   PS侧上电时序:   VCCPINT_1V0 →VCCPAUX_1V8 →VCCO_1V5;   PL侧电源(FPGA)上电时序:   VCCINT_1V0 →VCC_PL_1V8→VCCO_3V3;   GTX模块时序:   VCCINT_1V0→MGTXAVCC_1V0→MGTXAVTT_1V2→MGTVCCAUX_1V8;   下电时序均与上电时序相反。   DS191中有提到,Zynq芯片的电源分为PS系统和PL逻辑(FPGA)两部分,这两部分的电源区域是完全独立的、被隔离以防止损坏;PS的电源可以在任何PL电源之前或之后上电。   根据以上分析,可将一些电源合并以简化上电时序,   VCCPINT_1V0、VCCINT_1V0 可合并;   VCCPAUX_1V8、VCC_PL_1V8、MGTVCCAUX_1V8 可合并;   VCCO_1V5&VCCO_3V3可同时上电。   7Z045的上电时序设置如下   VCCINT_1V0→MGTXAVTT_1V2→VCC_PL_1V8 →VCCO_1V5&VCCO_3V3 →PS_POR_B下电时序与之相反。   关于PS_POR_B Secure Lockdown Window的描述如下
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   上述电源时序仅考虑了7Z045 SoC芯片本身;没有考虑其外围器件的电源时序,实际项目中需要考虑。   同时,7Z045的上电时序也不是上述唯一的,可根据具体项目需要设计上电时序;   有些设计中为了更充分保证高速模块MGT的信号质量,会使用单独的LDO或噪声纹波小的Buck为MGT模块供电;   硬件设计时可参考Xilinx官方手册或量产已稳定的项目。   四、最后   本文只简单介绍了各电源类型、分析了电源时序;   对于各电源功耗未作分析,有兴趣的小伙伴可根据赛灵思官方提供的功耗评估工具XPE(Xilinx Power Estimator) 对各电源功耗进行预估。
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   以上内容参考Xilinx官方手册,可在Xilinx官网下载,   也可在本sigusoft关键词 Zynq规格书 手册合辑。
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时钟芯片ds1302_可编程时钟芯片   更多笔记   一文了解BUCK电路自举电容   LDO和DCDC有什么异同?   一文搞懂DCDC基础知识   LDO基础知识一文搞懂   上下拉电阻有啥研究的   为什么总是习惯将 1uF和 0.1uF 的两个电容并联摆放在电路中   这里是软磨硬泡,号主三炮儿的硬件开发学习笔记、经验分享   学习分享以助能力增长,经验交流以期跻身一流

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