什么是FRAM? 原标题：什么是FRAM? FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。 本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202005/413194.htm
关于铁电质 下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的形式存储。 PZT晶体结构和FRAM工作原理
1、 当加置电场时就会产生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动） 2、 即使在不加置电场的情况下，也能保持电极。 3、 两个稳定的状态以“0”或“1”的形式存储。 存储器分类中的FRAM
* 非易失性：即使没有上电，也可以保存所存储的信息。 优势 与传统存储器相比，FRAM具有下列优势： 非易失性 ● 即使没有上电，也可以保存所存储的信息。 ● 与SRAM相比，无需后备电池（环保产品） 更高速度写入 ● 像SRAM一样，可覆盖写入 ● 不要求改写命令 ● 对于擦/写操作，无等待时间 ● 写入循环时间 =读取循环时间 ● 写入时间：E2PROM的1/30,000 具有更高的读写耐久性 ● 确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力 ● 耐久性：超过100万次的 E2PROM 具有更低的功耗 ● 不要求采用充电泵电路 ● 功耗：低于1/400的E2PROM 表1. FRAM和其它器件间规格差异的比较表 表1. 与其它存储器产品相比，FRAM的特性 FRAM E2PROM Flash SRAM 存储器 类别 非易失性 易失性 晶胞结构*1 1T1C/2T2C 2T 1T 6T 数据 改写方法 覆盖写入 擦除+写入 扇面擦除+ 写入 覆盖写入 写入 循环时间 150ns*2 5ms 10µs 55ns 耐久力 最大 1012 （1万亿次循环*3）*2 106 （100万次循环） 105 （10万次循环） 无限制 写入 操作电流 5mA（典型值）*2 15mA（最大值）*2 5mA （最大值） 20mA （最大值） 8mA （典型值） - 待机电流 5µA（典型值）*2 50µA（最大值）*2 2µA （最大值） 100µA （最大值） 0.7µA（典型值） 3µA（最大值） *1) T=晶体管. C=电容器 *2) 256Kb独立的FRAM存储器的技术规格 *3) 读写操作的总循环 富士通FRAM集成型产品 ● 独立存储器（I2C/SPI/并行接口产品） 富士通半导体提供了独立的存储器，它具有FRAM的优势，包括非易失性、高速读写、低功耗和更高的读写耐久性。你可以将其用于各种应用，如移动装置，OA设备，数字电器和银行终端等。
● 独立存储器（I2C/SPI/并行接口产品） ● 适用于RFID的LSI ● 验证 IC ● 应用 ● 定制 LSI ● 技术支持 FRAM 样品/文件申请和咨询表格 
申请评估样品和/或文件，如数据手册，宣传册等 
针对一般性的问题，如技术咨询，样品情况，定价等 
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