半导体存储器分为几大类_半导体存储器按照存取方式可以分为

半导体存储器分为几大类_半导体存储器按照存取方式可以分为半导体存储器芯片可以分为哪几类?半导体存储器芯片按照读写功能可分为随机读写存储器(RandomAccessMemory,RAM)和只读存储器(ReadOnlyMemory,ROM)两大类。RAM可读可写,断电时信息会

半导体存储器芯片可以分为哪几类?   半导体存储器芯片按照读写功能可分为随机读写存储器(RandomAccessMemory,RAM)和只读存储器(ReadOnlyMemory,ROM)两大类。RAM可读可写,断电时信息会丢失;ROM中的内容只能读出,不能写入,信息可保存,不会因为断电而丢失。   随机读写存储器   目前广泛使用的半导体随机读写存储器是MOS半导体存储器,按保存数据的机理分为静态存储器(StaticRAM,SRAM)和动态存储器(DynamicRAM,DRAM)。   1、静态存储器(SRAM)   利用双稳态触发器来保存信息,只要不断电信息就不会丢失。静态存储器的集成度低,成本高,功耗较大,通常作为Cache的存储体。   2、动态存储器(DRAM)   利用MOS电容存储电荷来保存信息,使用时需要不断给电容充电才能保持信息。动态存储器电路简单,集成度高,成本低,功耗小,但需要反复进行刷新(Refresh)操作,工作速度较慢,适合作为主存储器的主体部分。   刷新操作:为防止存储的信息电荷泄漏而丢失信息,由外界按一定规律不断地给栅极进行充电,补足栅极的信息电荷。   DRAM工作时必须要有刷新控制电路,操作比较复杂。由于要不间断地进行刷新,故称这种存储器为动态存储器。动态MOS存储器主要采用“读出”的方式进行刷新,依次读出存储器的每一行,就可完成对整个DRAM的刷新。   DRAM存储器的刷新需要有硬件线路的支持,这些控制线路可以集成在一个半导体芯片上,形成DRAM控制器。借助于DRAM控制器,可以把DRAM当作SRAM一样使用,从而为系统设计带来很大的方便。   3、增强型DRAM(EDRAM)   EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一个高速小容量的SRAM芯片而构成的,这个小容量的SRAM芯片起到高速缓存的作用,从而使DRAM芯片的性能得到显着改进。   当CPU从主存DRAM中读取数据时,会将包含此数据的整个数据块都写入高速缓存SRAM内,下次读取连续地址数据时,CPU就可以从这个SRAM中直接取用,而不必到较慢的DRAM中读取,如此即可加快CPU的存取速度。   将由若干EDRAM芯片组成的存储模块做成小电路插件板形式,就是目前普遍使用的内存条。   只读存储器   只读存储器ROM是一种存储固定信息的存储器,其特点是在正常工作状态下只能读取数据,不能即时修改或重新写入数据。   只读存储器电路结构简单,且存放的数据在断电后不会丢失,特别适合于存储性的、不变的程序代码或数据(如常数表、函数、表格和字符等),计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。   ROM的优点是具有不易失性。   只读存储器有不可重写只读存储器(MROM、PROM)和可重写只读存储器(EPROM、EEPROM、闪速存储器等)两大类。   不可重写只读存储器   1、掩模只读存储器(MROM)   掩模只读存储器,又称固定ROM。这种ROM在制造时,生产厂家利用掩模(Mask)技术把信息写入存储器中,使用时用户无法更改,适宜大批量生产。   掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。   2、可编程只读存储器(PROM)   可编程只读存储器(ProgrammableROM,简称PROM),是可由用户性写入信息的只读存储器,是在MROM的基础上发展而来的。   PROM的缺点是用户只能写入数据,一经写入就不能再更改。   可重写只读存储器   这类ROM由用户写入数据(程序),当需要变动时还可以进行修改,使用起来比较方便。可重写ROM有紫外线擦除EPROM、电擦除EEPROM和闪速存储器FlashROM三种类型。   1、光擦可编程只读存储器(EPROM)   EPROM的特点是其中的内容可以用特殊的装置进行擦除和重写。EPROM出厂时,其存储内容为全“1”,用户可根据需要改写为“0”,当需要更新存储内容时,可将原存储内容擦除(恢复为全“1”),以便写入新的内容。   EPROM一般是将芯片置于紫外线下照射15~20分钟左右,以擦除其中的内容,然后用专用的设备(EPROM写入器)将信息重新写入,一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前,EPROM常用于软件开发过程中。   2、电擦可编程只读存储器(EEPROM或E2PROM)   用紫外线擦除EPROM的操作复杂,速度很慢。EEPROM可以用电气方法将芯片中的存储内容擦除,擦除时间较快,甚至可以在联机状态下操作。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式,使用字擦除方式可擦除一个存储单,使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单。   3、闪速存储器(FlashROM)   闪速存储器FlashROM是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器,是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,它突破了传统的存储器体系,改善了现有存储器的特性。   FlashROM中的内容或数据不像RAM一样需要电源支持才能保存,但又像RAM一样具有可重写性。在某种低电压下,其内部信息可读不可写,类似于ROM,而在较高的电压下,其内部信息可以更改和删除,类似于RAM。   FlashROM可以用软件在PC机中改写或在线写入,信息一旦写入即相对固定。因此,在PC机中可用于存储主板的BIOS程序。由于能进行改写,便于用户自行升级BIOS,但这也给病毒以可乘之机,着名的CIH病毒正是利用这个特点来破坏BIOS,从而导致整个系统瘫痪的。另外,由于单片存储容量大,易于修改,FlashROM也常用于数码相机和U盘中,因其具有低功耗、高密度等特点,且没有机电移动装置,特别适合于便携式设备。

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