DS18B20流程图 1、.DS18B20内部结构：主要由 4 部分组成： 64 位 ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH 和 TL、配置寄存器。 ROM中的 64 位序列号是出厂前被光刻好的， 它可以看作是该 DS18B20的地址序列码，每个 DS18B20的 64 位序列号均不相同。 64 位 ROM的排的循环冗余校验码 （ CRC=X8 X5 X4 1）。 ROM的作用是使每一个 DS18B20都各不相同， 这样就可以实现一根总线上挂接多个 DS18B20的目的。;.开始读取转换结果的低字节DS18B20复位读取转换结写入跳过 ROM果的高字节操作指 (0XCC)DS18B20复位写入转换温度指令 (0 2、X44)整合低字节和高字节的数据延迟 750-900 微秒是否为否正数求反补一DS18B20复位是写入跳过 ROM操求得十进制值作指令 (0XCC)写入读取 ROM指令 (0XEE)结束DS18B20 温度读取函数流程图;.开始单片机拉低总单片机读取线 480-950 微秒总线低电平释放总线定时时否间到？是DS18B20拉是低电平？否低信号应答是复位成功定时 60-240微秒释放总线DS18B20 复位流程图单片机拉低电平10-15 微秒写逻辑 0？否是单片机持续拉低单片机拉高电电平 20-45 微秒平 20-45 微秒否写入了 8个字节是释放总线写字节函数流程图;.单片机拉低电平1微秒单片机释放总线读取总线电平否读逻辑 0？是DS18B20拉低电平DS18B20拉高
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