微光刻与电子束光刻技术(北京大学暑期班讲义版).ppt Vistec 先进的纳米电子束光刻系统 Write-on-the-fly 210mmX210mm Vistec Gaussian Beam Lithography Systems EBPG5200 Electron beam shape：Gaussian Beam ; Acceleration voltage ： 100 kV (TFE) Writing mode: Step & Repeat； Laser interferometer ：? / 1024 Max. substrate size ： wafers up to 200mm ; Max. clock rate: 50MHz Min. theor. spot size: 2.2nm；Min. feature size< 8nm; Thermal stability< 50nm / hr 7nm宽格栅 清华大学JBX 6300FS 电子束光刻系统 ZEP520 100nm密集线 ZEP520 70nm点阵 清华大学纳米中心JBX6300FS电子束曝光实验结果 PMMA 50nm密集线 PMMA 60nm密集线 PMMA 30nm孤立线 ZEP520 刻蚀Si 100nm宽900nm深 张立辉 双层胶PMMA-MMA PMMA 180nm厚 MMA 320nm厚 结构120nm-370nm 双层胶ZEP-MMA 结构95nm-170nm ZEP 300nm厚 MMA 320nm厚 Au Ag 剥离 100nm HSQ 网格结构 22nm HSQ 胶厚180nm 清华大学纳米中心JBX6300FS电子束曝光实验结果 张立辉 HSQ 网格结构 17nm HSQ 网格结构 17nm SU-8 胶厚1200nm HSQ 网格结构 100nm SU-8 网格结构 100nm SU-8 线条 300nm 中科院苏州纳米所JBX5500FS电子束光刻系统 国家纳米中心Vistec EBPG 5000+ES System 祖 敏 国家纳米中心Vistec EBPG 5000+ES 曝光实验 祖 敏 HSQ 曝光实验 20nm （周期100nm） HSQ 曝光实验 （周期40nm） HSQ 周期100-900nm） HSQ 0 宽度线曝光实验 NBL nB3 电子束曝光系统 PMMA 30nm HSQ 75nm/ 400nm高 ZEP520 125nm JBX6300 5nm宽格栅 南京55所：1#,2#,3#,4#,5#,13# 石家庄13所：1+1 北京大学：1+1？ 英国Exeter Univ.1； 法国 1 韩国三星1退货，仁和大学1退标 200nm 144nm 北京大学 nB3 （2010）电子束曝光设备 主机尺寸：700 X1000 mmX1300 mm 2012年准备安装 nB5 刘 鹏 PMMA 130nm Cr/Au lift-off 26nm, on Si 北京大学 nB3 电子束曝光设备曝光实验结果 ZEP520 80nm L/S = 40/40 nm, on Si ZEP520, PR fin on Si Expose 10 x 10 um, CD = 50nm Process time 15min/cell, with 450 patterns 刘 鹏 电子束光刻系统主机安装完成 （2008年） 中国科学院微电子研究所JBX6300FS 电子束光刻系统 无宽度线曝光技术（Single Lines） 20nm宽格栅 JBX 6300FS； 100KV；100PA； HSQ Fox16 400nm厚 JBX 6300FS； 100KV； 200PA HSQ Fox12 90nm厚 5nm宽格栅 20nm点阵 30nm宽格栅 电子显微镜标准物质样片 HSQ 抗蚀剂厚度90nm 周期200nm SSP CONFIDENTIAL Run-to-Run Repeatability 刻蚀深度341nm 陡直度89.8゜ JBX 6300FS HSQ Fox16 胶厚400nm 线宽30nm HSQ艺术 JBX 6300FS HSQ Fox16 胶厚500nm 线宽60nm “超材料” Metamaterial 利用微纳米加工技术，人工制造出可对光子和电磁波进行调制，产生特异性质的功能材料 物理所李俊杰等 人造晶格，光子晶体，光子筛，纳米结构光子衍射材料；手性材料，完美晶体，负
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