新概念51单片机C语言教程–入门提高开发拓展全攻略郭天祥.pdf 一亩三分地收藏 – 1 – 新概念 51 单片机 C 语言教程 入门、提高、开发、拓展全攻略 郭天祥编著 电子工业出版社 例 2.2.1 编写程序，点亮第一个发光二极管（ part2_1.c P27 ） #include <reg52.h> //52 系列单片机头文件 sbit led1=P1^0; // 声明单片机 P1 口的第一位 void main() // 主函数 { led1=0; /* 点亮第一个发光二极管 */ } 例 2.2.2 编写程序，点亮 P1 口的若干二极管（ part2_2.c P39 ） #include <reg52.h> //52 系列单片机头文件 void main() // 主函数 { P1=0xaa; //while(1); } 例 2.5.1 利用 for 语句延时特性， 编写第一个发光二极管以间隔 1S 亮灭闪动的程序 （part2_3.c P42 ） #include <reg52.h> //52 系列单片机头文件 #define uint unsigned int // 宏定义 sbit led1=P1^0; // 声明单片机 P1 口的第一位 uint i,j; void main() // 主函数 { while(1) // 大循环 { led1=0; /* 点亮第一个发光二极管 */ for(i=1;i>0;i–) // 延时 for(j=110;j>0;j–); led1=1; /* 关闭第一个发光二极管 */ for(i=1000;i>0;i–) // 延时 for(j=110;j>0;j–); } 2019-7-19 一亩三分地收藏 – 2 – } 此函数是内外循环， 根据外部晶振的不同， 延时 1 毫秒的循环次数也不一样， 一 般 12M 晶振的话用 for(j=time;j>0;j–); 延时时， 1 毫秒 time 大概为 125 左右，这 里用 110 ，大概晶振为 11.0592M ，所以这段程序，内部循环完成 1 毫秒延时， 外部循环完成 500 毫秒延时。 例 2.6.1 编写程序使
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