【计算机基础Ep30】唐朔飞计算机组成原理教材梳理(十九):P103提高访存速度的措施 (合计826字,用时30min——) 第四章 存储器 4.2主存储器 4.2.7提高访存速度的措施 提高访存速度的措施: 寻找高速件; 采用层次结构; 调整主存的结构。 a.单体多字系统 原理:由于程序和数据在存储体内是连续存放的,因此CPU访存取出的信息也是连续的,如果可以在一个存取周期内,从同一地址取出4条指令,然后再逐条将指令送至CPU执行,即每隔1/4存取周期,主存向送一条指令,这样显然增大了存储器的带宽,提高了单体存储器的工作速度。 前提:指令和数据在主存内必须是连续存放的,一旦遇到转移指令,或者操作数不能连续存放,这种方法的效果就不明显。 b.多体并行系统 定义:多体并行系统就是采用多体模块组成的存储器。 组成:每个模块有相同的容量和存取速度,各模块各自都有独立的地址寄存器(MAR)、数据寄存器(MDR)、地址译码、驱动电路和读/写电路,它们能并行工作,又能交叉工作。 计算: 低位交叉的存储器,连续读取n个字所需的时间t1为
高位交叉的存储器,连续读取n个字所需的时间t2为
结构: 排队器: 对易发生代码丢失的请求源,应列为最高优先级; 对严重影响CPU工作的请求源,给予次高优先级,否则会导致CPU工作失常; 存控标记触发器CM; 节拍发生器; 控制线路。 c.高性能存储芯片 定义:采用高性能存储芯片也是提高主存速度的措施之一。 c.1SDRAM(Synchronous DRAM,同步DRAM) 特点:SDRAM与常用的DRAM不同,它与处理器的数据交换同步于系统的时钟信号,并且以处理器-存储器总线的最高速度运行,且不需要插入等待状态。 c.2RDRAM(Rambus DRAM) 特点:由Rambus开发的RDRAM采用专门的DRAM和高性能的芯片接口取代现有的存储器接口,主要解决存储器带宽的问题,通过高速总线获得存储器请求(包括操作时所需的地址、操作类型和字节数)。 c.3带Cache的DRAM(CDRAM) 特点:带Cache的DRAM是在通常的DRAM芯片内又集成了一个小的SRAM,又称增强型的DRAM(EDRAM)。
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