半导体存储器的类型_半导体存储器的类型和特点

关于半导体存储的最强入门科普 　　上周，我给大家仔细介绍了HDD硬盘、软盘和光盘的发展史（链接）。 　　大家应该都注意到了，在我们的日常生活中，其实远远不止上面三种存储介质。 　　我们经常使用的U盘、TF卡、SD卡，还有电脑上使用的DDR内存、SSD硬盘，都属于另外一种存储技术。 　　这种技术，我们称之为“半导体存储”。 　　今天，小枣君就重点给大家讲讲这方面的知识。 　　█ 半导体存储的分类 　　现代存储技术，概括来看，就分为三大部分，分别是磁性存储、光学存储以及半导体存储。

　　半导体存储器，简而言之，就是以“半导体集成电路”作为存储媒介的存储器。 　　大家如果拆开自己的U盘或SSD硬盘，就会发现里面都是PCB电路板，以及各自各样的芯片及器件。其中有一类芯片，就是专门存储数据的，有时候也称“存储芯片”。

SSD硬盘的构造 　　相比传统磁盘（例如HDD硬盘），半导体存储器的重量更轻，体积更小，读写速度更快。当然了，价格也更贵。 　　这些年，整个社会对芯片半导体行业的度很高。但是，大家主要的其实是CPU、GPU、手机SoC等计算类芯片。 　　殊不知，半导体存储器也是整个半导体产业的核心支柱之一。2021年，全球半导体存储器的市场规模为1538亿美，占整个集成电路市场规模的33%，也就是三分之一。

2022年全球半导体主要品类占比情况 存储器有所下降，但仍有26% 　　半导体存储器也是一个大类，它还可以进一步划分，主要分为：易失性（VM）存储器与非易失性（NVM）存储器。

　　顾名思义，电路断电后，易失性存储器无法保留数据，非易失性存储器可以保留数据。 　　这个其实比较好理解。学过计算机基础知识的童鞋应该还记得，存储分为内存和外存。 　　计算机通电后，内存配合CPU等进行工作。断电后，内存数据就没有了，属于易失性（VM）存储器。 　　而外存呢，也就是硬盘，存放了大量的数据文件。当计算机关机后，只要你执行了保存（写入）操作，数据就会继续存在，属于非易失性（NVM）存储器。 　　请大家注意：现在很多资料也将半导体存储器分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM），大家应该很耳熟吧？

　　ROM只读存储器：很好理解，可以读取，不可以写入。 　　RAM随机存取存储器：指的是它可以“随机地从存储器的任意存储单读取或写入数据”，这是相对传统磁存储必须“顺序存取（Sequential Access）”而言的。 　　有些人认为，易失性存储器就是RAM，非易失性存储器就是ROM。其实，这是不严谨的，原因待会会讲。 　　█ 易失性存储器（VM） 　　在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，主要分为DRAM（动态随机存取存储器，Dynamic RAM）和SRAM（静态随机存取存储器，Static RAM）。

　　DRAM 　　DRAM由许多重复的位格（Bit Cell）组成，每一个基本单由一个电容和一个晶体管构成（又称1T1C结构）。电容中存储电荷量的多寡，用于表示“0”和“1”。而晶体管，则用来控制电容的充放电。

图片来源：Lam Research 　　由于电容会存在漏电现象。所以，必须在数据改变或断电前，进行周期性“动态”充电，保持电势。否则，就会丢失数据。 　　因此，DRAM才被称为“动态”随机存储器。 　　DRAM一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条（DDR）、显卡的显存（GDDR）、手机的运行内存（LPDDR），都是DRAM的一种。（DDR基本是指DDR SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器。） 　　值得一提的是，显存这边，除了GDDR之外，还有一种新型显存，叫做HBM（High Bandwidth Memory）。它是将很多DDR芯片堆叠后，与GPU封装在一起构成的（外观上看不到显存颗粒了）。 　　SRAM 　　SRAM大家可能比较陌生。其实，它就是我们CPU缓存所使用的技术。 　　SRAM的架构，比DRAM复杂很多。 　　SRAM的基本单，则最少由6管晶体管组成：4个场效应管（M1, M2, M3, M4）构成两个交叉耦合的反相器，2个场效应管（M5, M6）用于读写的位线（Bit Line）的控制开关，通过这些场效应管构成一个锁存器（触发器），并在通电时锁住二进制数0和1。 　　因此，SRAM被称为“静态随机存储器”。

SRAM存储单 　　SRAM不需要定期刷新，响应速度快，但功耗大、集成度低、价格昂贵。 　　所以，它主要用于CPU的主缓存以及辅助缓存。此外，还会用在FPGA内。它的市场占比一直都比较低，存在感比较弱。 　　█ 非易失性存储器（NVM） 　　接下来，再看看非易失性存储器产品。 　　非易失性存储器产品的技术路线，就比较多了。最早期的，就是前面所说的ROM。 　　最老式的ROM，那是“真正”的ROM——完全只读，出厂的时候，存储内容就已经写死了，无法做任何修改。 　　这种ROM，灵活性很差，万一有内容写错了，也没办法纠正，只能废弃。 　　掩模型只读存储器（MASK ROM），就是上面这种ROM的代表。说白了，就是直接用掩膜工艺，把信息“刻”进存储器里面，让用户无法更改，适合早期的批量生产。 　　后来，专家们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。这种ROM一般只可以编程一次。出厂时，所有存储单皆为1。通过专用的设备，以电流或光照（紫外线）的方式，熔断熔丝，可以达到改写数据的效果。 　　PROM的灵活性，比ROM更高一些，但还是不够。最好是能够对数据进行修改，于是，就有专家发明了EPROM（Erasable Programmable，可擦除可编程ROM）。 　　擦除的方式，可以是光，也可以是电。电更方便一点，采用电进行擦除的，就叫做EEPROM（电可擦除可编程EEPROM）。

　　EEPROM可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写0或者1，就是按“bit”读写，不必将内容全部擦除后再写。它的擦除操作，也是以“bit”为单位，速度还是太慢了。 　　上世纪80年代，日本东芝的技术专家——舛冈富士雄，发明了一种全新的、能够快速进行擦除操作的存储器，也就是——Flash（闪存）。

舛冈富士雄 　　Flash在英文里，就是“快速地”的意思。 　　限于篇幅，FLASH的具体原理我们下次再专门介绍。我们只需要知道，Flash存储是以“块”为单位进行擦除的。 　　常见的块大小为128KB和256KB。1KB是1024个bit，比起EEPROM按bit擦除，快了几个数量级。 　　目前，FLASH的主流代表产品也只有两个，即：NOR Flash和NAND Flash。

　　NOR Flash 　　NOR Flash属于代码型闪存芯片，其主要特点是芯片内执行（XIP，Execute In Place），即应用程序不必再把代码读到系统RAM中，而是可以直接在Flash闪存内运行。 　　所以，NOR Flash适合用来存储代码及部分数据，可靠性高、读取速度快，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。 　　但是，NOR Flash的写入和擦除速度很慢，而且体积是NAND Flash的两倍，所以用途受到了很多限制，市场占比比较低。 　　早期的时候，NOR Flash还会用在高端手机上，但是后来，智能机开始引入eMMC后，连这块市场也被排挤了。 　　近年来，NOR Flash的应用有所回升，市场回暖。低功耗蓝牙模块、TWS耳机、手机触控和指纹、可穿戴设备、汽车电子和工业控制等领域，使用NOR Flash比较多。 　　NAND Flash 　　相比之下，NAND Flash的市场占比就大了很多。 　　NAND Flash属于数据型闪存芯片，可以实现大容量存储。 　　它以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，故其写入和擦除速度虽比DRAM大约慢3-4个数量级，却也比传统的机械硬盘快3个数量级，被广泛用于eMMC/EMCP、U盘、SSD等市场。 　　前面提到了eMMC。前几年，这个词还是挺火的。

eMMC 　　eMMC即嵌入式多媒体卡（embedded Multi Media Card），它把MMC（多媒体卡）接口、NAND及主控制器都封装在一个小型的BGA芯片中，主要是为了解决NAND品牌差异兼容性等问题，方便厂商快速简化地推出新产品。 　　而eMCP，是把eMMC与LPDDR封装为一体，进一步减小模块体积，简化电路连接设计。 　　2011年，UFS（Universal Flash Storage，通用闪存存储）1.0标准诞生。后来，UFS逐渐取代了eMMC，成为智能手机的主流存储方案。当然了，UFS也是基于NAND FLASH的。

这些年主流手机的标配 　　SSD，大家应该很熟悉了。它基本上都是采用NAND芯片的，目前发展非常迅猛。

SSD内部构造 　　根据内部电子单密度的差异，NAND又可以分为SLC（单层存储单）、MLC（双层存储单）、TLC(三层存储单、QLC（四层存储单），依次代表每个存储单存储的数据分别为1位、2位、3位、4位。 　　由SLC到QLC，存储密度逐步提升，单位比特成本也会随之降低。但相对的，性能、功耗、可靠性与P/E循环（擦写循环次数，即寿命）会下降。 　　这几年，DIY装机圈围绕SLC/MLC/TLC/QLC的争议比较大。一开始，网友们觉得SSD硬盘的寿命会缩水。后来发现，好像缩水也没那么严重，寿命仍然够用。所以，也就慢慢接受了。 　　早期的NAND，都是2D NAND。工艺制程进入16nm后，2D NAND的成本急剧上升，平面微缩工艺的难度和成本难以承受。于是，3D NAND出现了。

图片来源：electronics-lab 　　简单来说，就是从平房到楼房，利用立体堆叠，提升存储器容量，减小2D NAND的工艺压力。 　　2012 年，三星推出了第一代3D NAND闪存芯片。后来，3D NAND技术不断发展，堆叠层数不断提升，容量也越来越大。 　　█ 新型存储器（非易失性） 　　2021年，美国IBM提出“存储级内存”（SCM, Storage-Class Memory）的概念。IBM认为，SCM能够取代传统硬盘，并对DRAM起到补充作用。 　　SCM的背后，其实是行业对新型存储器（介质）的探索。 　　按行业的共识，新型存储器可以结合了DRAM内存的高速存取，以及NAND闪存在关闭电源之后保留数据的特性，打破内存和闪存的界限，使其合二为一，实现更低的功耗，更长的寿命，更快的速度。 　　目前，新型存储器主要有这么几种：相变存储器（PCM），阻变存储器（ReRAM/RRAM），铁电存储器（FeRAM/FRAM），磁性存储器（MRAM，第二代为STT-RAM），碳纳米管存储器。 　　限于篇幅（主要是我也没看懂，太难了），今天就不逐一介绍了。等将来我研究清楚后，再写专题文章。 　　█ 结语 　　汇总一下，小枣君画了一个完整的半导体存储分类图：

　　上面这个图里，存储器类型很多。但我前面也说了，大家重点看DRAM、NAND Flash和NOR Flash就可以了。因为，在现在的市场上，这三种存储器占了96%以上的市场份额。 　　其实，所有的存储器，都会基于自己的特性，在市场中找到自己的位置，发挥自己的价值。 　　一般来说，性能越强的存储器，价格就越贵，会越离计算芯片（CPU/GPU等）越近。性能弱的存储器，可以承担一些对存储时延要求低，写入速度不敏感的需求，降低成本。

　　计算机系统中的典型存储器层次结构 图片来源：果壳硬科技 　　半导体存储技术演进的过程，其实一直都受益于摩尔定律，在不断提升性能的同时，降低成本。今后，随着摩尔定律逐渐失效，半导体存储技术将会走向何方，新型存储介质能够崛起？让我们拭目以待。 　　下一期文章，小枣君将站在历史的角度，详细介绍一下半导体存储的技术演进历程，以及行业格局的风雨变幻。 　　欢迎大家继续！谢谢！ 　　参考文献： 　　1、《数据存力白皮书》，华为、罗兰贝格； 　　2、《中国存力白皮书》，2022算力大会； 　　3、《计算机存储历史》，中国存储网 　　4、《硬盘发展简史》，SunnyZhang的I世界； 　　5、《存储技术发展历程》，谢长生； 　　6、《存储介质发展史》，B站，阴冷未遂； 　　7、《下一代数据存储技术研究报告》，信通院； 　　8、《存储芯片行业研究报告》，国信证券； 　　9、《国产存储等待一场革命》，付斌，果壳； 　　10、《关于半导体存储，没有比这篇更全的了》，芯师爷 　　11、《科技简章035-半导体存储之闪存》，悟弥津，知乎 　　12、维基百科相关词条。